سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND بسعة 1 تيرابايت
تاريخ النشر: 14th, September 2024 GMT
بدأت شركة سامسونج في الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND المميزة بسعة 1تيرابايت، والتي تدعم حلول الذكاء الإصطناعي الجديدة.
أعلنت سامسونج عن بدء الإنتاج الضخم لأحدث إصدار من شرائح NAND، حيث تبدأ الشركة في إنتاج ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع من QLC، والتي تنطلق بسعة 1 تيرابايت.
ولقد كانت سامسونج أولى الشركات التي تنتج الجيل التاسع من V-NAND بتقنية TLC في شهر أبريل الماضي والتي تتميز بتقنية الخلايا الثلاثية.
واليوم تبدأ الشركة في ترقية التقنية إلى خلايا (QLC) رباعية، والتي تتيح زيادة السعة حتى 4بت في كل خلية، لذا تأتي الشرائح بكثافة تخزينية مرتفعة.
كما تعمل هذه الترقية أيضاً على تعزيز سرعة القراءة والكتابة في الشرائح، مع خفض إستهلاك الطاقة، على أن يتم خفض إستهلاك الطاقة في القراءة بنسبة 30% وخفض إستهلاك الطاقة في الكتابة بنسبة 50%.
ولقد أشار “SungHoi Hur” نائب الرئيس التنفيذي ورئيس قسم منتجات الفلاش أن الإنتاج الضخم للشرائح الجديدة يأتي في الوقت الأنسب مع حلول الذكاء الإصطناعي.
المصدر
Source link
المصدر: الميدان اليمني
كلمات دلالية: الإنتاج الضخم
إقرأ أيضاً:
سامسونج تعزز أداء Galaxy S26 Ultra بذاكرة RAM أسرع وأكفأ
من المتوقع أن يحصل هاتف Galaxy S26 Ultra على دفعة كبيرة في الأداء، ليس فقط من خلال الجيل الجديد من المعالجات، بل أيضاً بفضل أحدث تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي (RAM).
ذاكرة LPDDR5X بسرعة قياسيةوفقاً لتسريبات المسرب الشهير Ice Universe، سيأتي الجهاز مزوداً بذاكرة LPDDR5X منخفضة استهلاك الطاقة بسرعة تصل إلى 10.7 جيجابت في الثانية، والمصنعة من قبل شركة Micron.
يأتي هذا التطوير مقارنة بهاتف Galaxy S25 Ultra الذي استخدم نفس النوع من الذاكرة لكن بتقنية 1β (1-beta) من Micron وبسرعة قصوى 9.6 جيجابت في الثانية.
سيعتمد Galaxy S26 Ultra على ذاكرة بتقنية 1γ (1-gamma) من Micron، والتي توصف بأنها الأسرع في الصناعة، ما يجعلها مثالية لتطبيقات الذكاء الاصطناعي والمهام كثيفة البيانات.
كما توفر هذه التقنية وفراً في استهلاك الطاقة يصل إلى 20% مقارنة بجيل 1-beta، ما يطيل من عمر البطارية، إضافة إلى حجمها الصغير (0.61 ملم) الذي يتيح مساحة أكبر لمكونات أخرى مثل مستشعر كاميرا أكبر أو بطارية بسعة أعلى.
بدائل محتملة ومشاكل سابقةهناك احتمال أن تلجأ سامسونغ أيضاً إلى ذواكر LPDDR5X التي طورتها بنفسها بسرعة 10.7 جيجابت في الثانية والمبنية على تقنية تصنيع 12 نانومتر، والتي توفر بدورها أداءً أسرع وكفاءة أعلى من الجيل السابق.
العام الماضي، واجهت سامسونغ مشاكل في ارتفاع حرارة بعض المكونات، ما دفعها لاستخدام ذواكر Micron في 60% من أجهزة Galaxy S25. ومع أن الشركة تقول إنها عالجت هذه المشكلات، إلا أن تقارير يونيو أشارت إلى استمرار اختبار ذواكر Micron في سلسلة Galaxy S26.
تصميم مطور وأداء أسرعإلى جانب تحسينات الذاكرة، من المتوقع أن يحصل Galaxy S26 Ultra على تصميم محدث وهيكل أنحف، مما يمنحه مظهراً أكثر عصرية مع أداء أقوى، ليواصل نجاح سلسلة Galaxy S بعد الأداء الجيد لـ Galaxy S25.
مرحلة جديدة من الصراع السياسي المفتوح والحسم مؤجل