رئيس إنتل: الصين متأخرة بعشر سنوات في قدرات صناعة الرقائق
تاريخ النشر: 20th, January 2024 GMT
يعتقد بات جيلسنجر، الرئيس التنفيذي لشركة إنتل، أن العقوبات المفروضة على قطاع إنتاج أشباه الموصلات في الصين من قبل الولايات المتحدة واليابان وهولندا تعيق تطوير تقنيات المعالجة التي تتجاوز 7 نانومتر في الصين في الوقت الحالي.
يعتقد جيلسنجر أنه في حين ستستمر الصين في تطوير براعتها في مجال أشباه الموصلات وتصميم أدوات أكثر تقدمًا لصناعة الرقائق محليًا، إلا أنها تتخلف عن صناعة أشباه الموصلات العالمية بحوالي عقد من الزمن وستبقى على هذا النحو.
"إن سياسات التصدير التي تم وضعها مؤخرًا، وقد رأينا [السياسات] الهولندية مطبقة، والسياسات الأمريكية والسياسات اليابانية، نوعًا ما وضعت حدًا في نطاق 10 إلى 7 نانومتر لـ [صناعة أشباه الموصلات الصينية]،" جيلسنجر جاء ذلك خلال المنتدى الاقتصادي العالمي في دافوس بسويسرا، والذي بثته قناة CNBC. "نحن نتسابق للوصول إلى أقل من 2 نانومتر ثم 1.5 نانومتر، وأنت تعلم أننا لا نرى نهاية لذلك في الأفق."
في الوقت الحالي، تمتلك شركة SMIC ومقرها الصين تقنية معالجة من فئة 7 نانومتر يمكن استخدامها لصنع معالجات تطبيقات معقدة كبيرة الحجم للهواتف الذكية، والتي تتأخر بحوالي خمس سنوات ونصف عن TSMC وSamsung. وفي الوقت نفسه، وفقًا لتقارير وسائل الإعلام، بدأت شركة Shanghai Huali Microelectronics (HLMC) الإنتاج التجريبي للرقائق في عملية التصنيع المستندة إلى 14 نانومتر FinFET في عام 2020، مما يعني أنها متأخرة الآن عن TSMC بتسع إلى 10 سنوات.
ومع ذلك، تستخدم كل من SMIC وHLMC أدوات يتم إنتاجها في هولندا واليابان وكوريا الجنوبية وتايوان والولايات المتحدة، بالإضافة إلى مواد خام نقية من اليابان. ومن دون الوصول إليها، سيتعين على الشركات الصينية تطوير معدات تصنيع الرقائق ووسائل تنقية الغازات والمقاومات والمواد الكيميائية الأخرى لإنتاج الرقائق المتطورة. في الوقت الحالي، تتأخر هذه الشركات بحوالي عشر سنوات عن صناعة الرقائق العالمية، وبينما ستتطور، فإنها ستبقى متأخرة بحوالي عقد من الزمن في المستقبل المنظور، وفقًا لجيلسنجر.
وقال جيلسنجر: "ليس الأمر وكأن الصين لن تستمر في الابتكار، ولكن هذه صناعة مترابطة للغاية". "مرايا زايس، وتجميع معدات ASML، والمواد الكيميائية والمقاومة في اليابان، وصناعة الأقنعة من إنتل. كل هذا معًا، أعتقد أن هذه فجوة مدتها 10 سنوات، وأعتقد أنها فجوة مستدامة مدتها 10 سنوات. الفجوة مع سياسات التصدير التي تم وضعها."
وتتطلب تقنيات معالجة أشباه الموصلات الحديثة جهوداً متضافرة من قِبَل الصناعة العالمية بالكامل، والكثير من الأبحاث الأساسية، ومئات المليارات من الدولارات التي تنفق على البحث والتطوير. وسواء كانت الصين قادرة على التعامل مع كل هذا بمفردها أم لا، فهذا أمر متروك للنقاش. وفي الوقت نفسه، إذا انقطعت الصين تماما عن أدوات وتقنيات صناعة الرقائق المتقدمة، فقد تحاول شركات أشباه الموصلات لديها إجراء هندسة عكسية ونسخ المعدات التي يمكنها وضع أيديها عليها لسد الفجوة مع صناعة الرقائق العالمية. هذه ليست طريقة مستدامة تمامًا، لكن ببساطة قد لا يكون لديهم خيار آخر.
المصدر: بوابة الوفد
كلمات دلالية: أشباه الموصلات صناعة الرقائق فی الوقت
إقرأ أيضاً:
هواوي تستخدم شريحة بدقة 5 نانومتر في لابتوب جديد رغم العقوبات الأميركية
في خطوة قد تُثير قلق واشنطن، أفادت تقارير إعلامية صينية أن شركة SMIC، وهي أكبر مصنع رقاقات في الصين ، وثالث أكبر مسبك في العالم، قد تمكنت من تصنيع شريحة بدقة 5 نانومتر باستخدام تقنية DUV التقليدية، دون الاعتماد على أجهزة الطباعة الحجرية المتطورة EUV التي تُحظر عليها بموجب العقوبات الأميركية والهولندية.
وكان يُعتقد سابقًا، أن SMIC تقتصر قدرتها التصنيعية على عقدة 7 نانومتر N+2، وهي التقنية المستخدمة في معالج Kirin 9010 الذي زود هواتف هواوي الرائدة Pura 70 في أبريل 2024. لكن التطورات الأخيرة تشير إلى إمكانيات أكثر تقدمًا.
معالج Kirin X90 في MateBook Pro: إعادة تدوير أم قفزة تقنية؟أطلقت هواوي مؤخرًا حاسوبها المحمول الجديد MateBook Pro، الذي يعمل بنام HarmonyOS ويحتوي على شريحة Kirin X90 من تصميم وحدة HiSilicon التابعة لهواوي. ورجّح مسرب تقني أن الشريحة ليست سوى نسخة معدلة من Kirin 9010، مع إعادة ترتيب أنوية المعالجة فقط.
غير أن محطة CCTV الصينية الرسمية فاجأت المتابعين بتقرير أكدت فيه أن معالج Kirin X90 تم تصنيعه فعليًا باستخدام عقدة تصنيع N+3 بدقة 5 نانومتر من SMIC، وهو ما يفتح الباب أمام فرضية أن هواوي باتت تمتلك شرائح متقدمة رغم القيود الأميركية المشددة.
وبحسب تقرير CCTV الذي أعاد نشره المسرب @Jukanlosreve عبر منصة "X"، فقد استُخدمت أجهزة DUV القديمة التي اشترتها SMIC قبل فرض العقوبات، لإجراء طباعات متعددة على الرقاقة، ما ساعد على تقليل ضبابية الرسوم النمطية رغم محدودية طول موجة DUV (193 نانومتر) مقارنة بـ EUV.
كما أشار مستخدم آخر على "X" يدعى @zephyr_z9 إلى أن كثافة الترانزستورات في معالج Kirin X90 تصل إلى 125 مليون ترانزستور لكل ميليمتر مربع، وهي أقل بقليل من كثافة عقدة TSMC 5nm (نحو 138 مليون/مم²)، لكنها مماثلة تقريبًا لعقدة Samsung Foundry من نفس الجيل.
إنتاجية منخفضة تثير تساؤلاترغم التقدم التقني المحتمل، فإن التحديات الإنتاجية لا تزال ماثلة. فقد كشف أحد المحللين أن SMIC تنتج حاليًا 3,000 رقاقة شهريًا فقط من هذه الشريحة الجديدة، بمعدل نسبة نجاح لا تتجاوز 20%، وهي نسبة منخفضة جدًا مقارنة بالحد الأدنى المقبول عالميًا والبالغ 70% لبدء التصنيع الكمي.
مخاوف أميركية متزايدة من الاستخدامات العسكريةوإن صحت هذه التقارير، فإن قدرة SMIC على إنتاج شرائح 5 نانومتر دون EUV تمثل تطورًا مقلقًا لصنّاع القرار في واشنطن، خصوصًا في ظل المخاوف من استخدام هواوي لتقنيات المعالجة المتقدمة في تطبيقات الذكاء الاصطناعي أو الأنظمة العسكرية، رغم العقوبات التجارية والتكنولوجية المفروضة من قبل الولايات المتحدة.
معركة هارفارد وضرب غزة بالنووي